TPH3208LSG

GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
TPH3208LSG P1
TPH3208LSG P1
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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Transphorm ~ TPH3208LSG

品番
TPH3208LSG
メーカー
Transphorm
説明
GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 TPH3208LSG
部品ステータス Not For New Designs
FETタイプ N-Channel
技術 GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 650V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs 130 mOhm @ 14A, 8V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.6V @ 300µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 42nC @ 8V
Vgs(最大) ±18V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 760pF @ 400V
FET機能 -
消費電力(最大) 96W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 3-PQFN (8x8)
パッケージ/ケース 3-PowerDFN

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