TPC6006-H(TE85L,F)

MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A
TPC6006-H(TE85L,F) P1
TPC6006-H(TE85L,F) P2
TPC6006-H(TE85L,F) P1
TPC6006-H(TE85L,F) P2
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ TPC6006-H(TE85L,F)

品番
TPC6006-H(TE85L,F)
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
説明
MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 TPC6006-H(TE85L,F)
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 40V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 3.9A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.3V @ 1mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 4.4nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 251pF @ 10V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 700mW (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 75 mOhm @ 1.9A, 10V
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ VS-6 (2.9x2.8)
パッケージ/ケース SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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