TK7P65W,RQ

MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK
TK7P65W,RQ P1
TK7P65W,RQ P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ TK7P65W,RQ

品番
TK7P65W,RQ
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
説明
MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 TK7P65W,RQ
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 650V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 6.8A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 3.5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 15nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 490pF @ 300V
Vgs(最大) ±30V
FET機能 -
消費電力(最大) 60W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 800 mOhm @ 3.4A, 10V
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ DPAK
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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