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| 品番 | TK1K2A60F,S4X |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 600V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 1.2 Ohm @ 3A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 630µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 21nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 740pF @ 300V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 35W (Tc) |
| 動作温度 | 150°C |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220SIS |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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TK1K2A60F,S4X | Toshiba Semiconductor and Storage | PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO- | - | 62723 | 詳細 |