TK14G65W5,RQ

MOSFET N-CH 650V 13.7A DPAK
TK14G65W5,RQ P1
TK14G65W5,RQ P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ TK14G65W5,RQ

品番
TK14G65W5,RQ
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
説明
MOSFET N-CH 650V 13.7A DPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- TK14G65W5,RQ PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 TK14G65W5,RQ
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 650V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 13.7A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4.5V @ 690µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 40nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1300pF @ 300V
Vgs(最大) ±30V
FET機能 -
消費電力(最大) 130W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 300 mOhm @ 6.9A, 10V
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ D2PAK
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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