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| 品番 | CSD25303W1015 |
|---|---|
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 1.8V, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 1V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 4.3nC @ 4.5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 435pF @ 10V |
| Vgs（最大） | ±8V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 1.5W (Ta) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 58 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-DSBGA (1x1.5) |
| パッケージ/ケース | 6-UFBGA, DSBGA |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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CSD25201W15 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA | 0 | 詳細 | |
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CSD25202W15 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA | - | 3000 | 詳細 |
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CSD25202W15T | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA | - | 250 | 詳細 |
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CSD25211W1015 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA | - | 0 | 詳細 |
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CSD25213W10 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA | - | 0 | 詳細 |
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CSD25301W1015 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 2.2A 6DSBGA | 0 | 詳細 | |
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CSD25302Q2 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 5A 6SON | 0 | 詳細 | |
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CSD25303W1015 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA | 0 | 詳細 | |
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CSD25304W1015 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA | - | 0 | 詳細 |
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CSD25304W1015T | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA | - | 2000 | 詳細 |
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CSD25310Q2 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 48A 6SON | - | 0 | 詳細 |
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CSD25310Q2T | Texas Instruments | 20-V P-CHANNEL NEXFET POWER MOSF | - | 170005 | 詳細 |