STU1HN60K3

MOSFET N-CH 600V 1.2A IPAK
STU1HN60K3 P1
STU1HN60K3 P1
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STMicroelectronics ~ STU1HN60K3

品番
STU1HN60K3
メーカー
STMicroelectronics
説明
MOSFET N-CH 600V 1.2A IPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 STU1HN60K3
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 600V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 1.2A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4.5V @ 50µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 9.5nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 140pF @ 50V
Vgs(最大) ±30V
FET機能 -
消費電力(最大) 27W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 8 Ohm @ 600mA, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ I-Pak
パッケージ/ケース TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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