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品番 | STQ1NK80ZR-AP |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 800V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 300mA (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 4.5V @ 50µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 7.7nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 160pF @ 25V |
Vgs(最大) | ±30V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 3W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 16 Ohm @ 500mA, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Through Hole |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-92-3 |
パッケージ/ケース | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |