STL26NM60N

MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT
STL26NM60N P1
STL26NM60N P1
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STMicroelectronics ~ STL26NM60N

品番
STL26NM60N
メーカー
STMicroelectronics
説明
MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 STL26NM60N
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 600V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 2.7A (Ta), 19A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 60nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1800pF @ 50V
Vgs(最大) ±30V
FET機能 -
消費電力(最大) 125mW (Ta), 3W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 185 mOhm @ 10A, 10V
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PowerFlat™ (8x8) HV
パッケージ/ケース 4-PowerFlat™ HV

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