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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
品番 | STH52N10LF3-2AG |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 100V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 52A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 5V, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 2.5V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 18.5nC @ 5V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1900pF @ 400V |
Vgs(最大) | ±20V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 110W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 20 mOhm @ 26A, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | H2Pak-2 |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |