STH360N4F6-2

MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
STH360N4F6-2 P1
STH360N4F6-2 P1
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STMicroelectronics ~ STH360N4F6-2

品番
STH360N4F6-2
メーカー
STMicroelectronics
説明
MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- STH360N4F6-2 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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品番 STH360N4F6-2
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 40V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 180A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4.5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 340nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 17930pF @ 25V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 300W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 1.25 mOhm @ 60A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ H²PAK
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant

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