STG3P2M10N60B

IGBT N-CHAN 600V 19A SEMITOP2
STG3P2M10N60B P1
STG3P2M10N60B P1
画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

STMicroelectronics ~ STG3P2M10N60B

品番
STG3P2M10N60B
メーカー
STMicroelectronics
説明
IGBT N-CHAN 600V 19A SEMITOP2
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- STG3P2M10N60B PDF online browsing
家族
トランジスタ - IGBT - モジュール
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品番 STG3P2M10N60B
部品ステータス Obsolete
IGBTタイプ -
構成 Three Phase Inverter
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) 600V
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 19A
電力 - 最大 56W
Vce(on)(Max)@ Vge、Ic 2.5V @ 15V, 7A
電流 - コレクタ遮断(最大) 10µA
入力容量(Cies)@ Vce 0.72nF @ 25V
入力 Single Phase Bridge Rectifier
NTCサーミスタ No
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース SEMITOP®2
サプライヤデバイスパッケージ SEMITOP®2

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