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| 品番 | STB26NM60ND |
|---|---|
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 600V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 21A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 5V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 54.6nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1817pF @ 100V |
| Vgs（最大） | ±25V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 190W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 175 mOhm @ 10.5A, 10V |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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STB200NF04L | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK | 0 | 詳細 | |
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