STB11N65M5

MOSFET N CH 650V 9A D2PAK
STB11N65M5 P1
STB11N65M5 P1
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STMicroelectronics ~ STB11N65M5

品番
STB11N65M5
メーカー
STMicroelectronics
説明
MOSFET N CH 650V 9A D2PAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 STB11N65M5
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 650V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 9A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 17nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 644pF @ 100V
Vgs(最大) ±25V
FET機能 -
消費電力(最大) 85W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 480 mOhm @ 4.5A, 10V
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ D2PAK
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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