画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
品番 | L6399D |
---|---|
部品ステータス | Active |
駆動構成 | Half-Bridge |
チャネルタイプ | Independent |
ドライバ数 | 2 |
ゲートタイプ | IGBT, N-Channel MOSFET |
電圧 - 供給 | 10 V ~ 20 V |
ロジック電圧 - VIL、VIH | 1.1V, 1.9V |
電流 - ピーク出力(ソース、シンク) | 290mA, 430mA |
入力方式 | Inverting, Non-Inverting |
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ) | 600V |
立ち上がり/立ち下がり時間(Typ) | 75ns, 35ns |
動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | - |
パッケージ/ケース | - |
サプライヤデバイスパッケージ | - |