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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
| 品番 | RSE002P03TL |
|---|---|
| 部品ステータス | Not For New Designs |
| FETタイプ | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 200mA (Ta) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 4V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.5V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 30pF @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 150mW (Ta) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 1.4 Ohm @ 200mA, 10V |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | EMT3 |
| パッケージ/ケース | SC-75, SOT-416 |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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RSE002N06TL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 0.25A EMT3 | - | 9000 | 詳細 |
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RSE002P03TL | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 200MA SOT416 | - | 3000 | 詳細 |