画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
| 品番 | RQ3E080GNTB |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8A (Ta) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.5V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 5.8nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 295pF @ 15V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 2W (Ta), 15W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 16.7 mOhm @ 8A, 10V |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-HSMT (3.2x3) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RQ3E070BNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 7A HSMT8 | - | 3000 | 詳細 |
 |
RQ3E075ATTB | Rohm Semiconductor | PCH -30V -18A MIDDLE POWER MOSFE | - | 0 | 詳細 |
 |
RQ3E080BNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8 | - | 0 | 詳細 |
 |
RQ3E080GNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 8A 8-HSMT | - | 0 | 詳細 |
 |
RQ3E100BNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8 | - | 0 | 詳細 |
 |
RQ3E100GNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT | - | 0 | 詳細 |
 |
RQ3E100MNTB1 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8 | - | 3000 | 詳細 |
 |
RQ3E120ATTB | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8 | - | 3000 | 詳細 |
 |
RQ3E120BNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8 | 0 | 詳細 | |
 |
RQ3E120GNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT | - | 3000 | 詳細 |
 |
RQ3E130BNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8 | 0 | 詳細 | |
 |
RQ3E130MNTB1 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8 | 6000 | 詳細 |