RHU002N06T106

MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323
RHU002N06T106 P1
RHU002N06T106 P2
RHU002N06T106 P1
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Rohm Semiconductor ~ RHU002N06T106

品番
RHU002N06T106
メーカー
Rohm Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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品番 RHU002N06T106
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 200mA (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id -
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 4.4nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 15pF @ 10V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 200mW (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 2.4 Ohm @ 200mA, 10V
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ UMT3
パッケージ/ケース SC-70, SOT-323

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