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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
品番 | QS6J11TR |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | 2 P-Channel (Dual) |
FET機能 | Logic Level Gate |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 12V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 2A |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 105 mOhm @ 2A, 4.5V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 1V @ 1mA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 6.5nC @ 4.5V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 770pF @ 6V |
電力 - 最大 | 600mW |
動作温度 | 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
サプライヤデバイスパッケージ | TSMT6 (SC-95) |