BR25S128GUZ-WE2

IC EEPROM 128KBIT 10MHZ VCSP35L2
BR25S128GUZ-WE2 P1
BR25S128GUZ-WE2 P1
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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Rohm Semiconductor ~ BR25S128GUZ-WE2

品番
BR25S128GUZ-WE2
メーカー
Rohm Semiconductor
説明
IC EEPROM 128KBIT 10MHZ VCSP35L2
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
メモリ
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製品パラメータ

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品番 BR25S128GUZ-WE2
部品ステータス Active
メモリの種類 Non-Volatile
メモリフォーマット EEPROM
技術 EEPROM
メモリー容量 128Kb (16K x 8)
クロック周波数 10MHz
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ 5ms
アクセス時間 -
メモリインターフェイス SPI
電圧 - 供給 1.7 V ~ 5.5 V
動作温度 -40°C ~ 85°C (TA)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 12-XFBGA, CSPBGA
サプライヤデバイスパッケージ VCSP35L2

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