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品番 | RFP4N100 |
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部品ステータス | Obsolete |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 1000V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 4.3A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 3.5 Ohm @ 2.5A, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 4V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 120nC @ 20V |
Vgs(最大) | - |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | - |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | - |
動作温度 | - |
取付タイプ | Through Hole |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |