NVMFS5833NT1G

MOSFET N-CH 40V SO8FL
NVMFS5833NT1G P1
NVMFS5833NT1G P1
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ON Semiconductor ~ NVMFS5833NT1G

品番
NVMFS5833NT1G
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 40V SO8FL
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- NVMFS5833NT1G PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 NVMFS5833NT1G
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 40V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 16A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 3.5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 32.5nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1714pF @ 25V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.7W (Ta), 112W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 7.5 mOhm @ 40A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN

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