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品番 | NVGS5120PT1G |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | P-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 60V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 1.8A (Ta) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 4.5V, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 3V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 18.1nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 942pF @ 30V |
Vgs(最大) | ±20V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 600mW (Ta) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 111 mOhm @ 2.9A, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | 6-TSOP |
パッケージ/ケース | SOT-23-6 |