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品番 | NVB60N06T4G |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 60V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 60A (Ta) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | - |
Vgs(th)(Max)@ Id | 4V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 81nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3220pF @ 25V |
Vgs(最大) | - |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 2.4W (Ta), 150W (Tj) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 14 mOhm @ 30A, 10V |
動作温度 | - |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |