NTHS4111PT1G

MOSFET P-CH 30V 3.3A CHIPFET
NTHS4111PT1G P1
NTHS4111PT1G P1
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ON Semiconductor ~ NTHS4111PT1G

品番
NTHS4111PT1G
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET P-CH 30V 3.3A CHIPFET
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
NTHS4111PT1G.pdf NTHS4111PT1G PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 NTHS4111PT1G
部品ステータス Obsolete
FETタイプ P-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 3.3A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 3V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 28nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1500pF @ 24V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 700mW (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 45 mOhm @ 4.4A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ ChipFET™
パッケージ/ケース 8-SMD, Flat Lead

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