画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
品番 | NTD4809NH-1G |
---|---|
部品ステータス | Obsolete |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 30V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 9.6A (Ta), 58A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 4.5V, 11.5V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 2.5V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 15nC @ 4.5V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2155pF @ 12V |
Vgs(最大) | ±20V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 1.3W (Ta), 52W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 9 mOhm @ 30A, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ | Through Hole |
サプライヤデバイスパッケージ | I-Pak |
パッケージ/ケース | TO-251-3 Stub Leads, IPak |