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BOM

NTD4809N-35G

MOSFET N-CH 30V 9A IPAK
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › NTD4809N-35G
NTD4809N-35G P1
NTD4809N-35G P1
画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

ON Semiconductor ~ NTD4809N-35G

品番
NTD4809N-35G
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 30V 9A IPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- NTD4809N-35G PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 NTD4809N-35G
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 9.6A (Ta), 58A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 4.5V, 11.5V
Vgs（th）（Max）@ Id 2.5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 13nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1456pF @ 12V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 1.4W (Ta), 52W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 9 mOhm @ 30A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ I-Pak
パッケージ/ケース TO-251-3 Stub Leads, IPak

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