NTD3813N-35G

MOSFET N-CH 16V 9.6A IPAK
NTD3813N-35G P1
NTD3813N-35G P1
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ON Semiconductor ~ NTD3813N-35G

品番
NTD3813N-35G
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 16V 9.6A IPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- NTD3813N-35G PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 NTD3813N-35G
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 16V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 9.6A (Ta), 51A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 12.8nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 963pF @ 12V
Vgs(最大) ±16V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.2W (Ta), 34.9W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 8.75 mOhm @ 15A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ I-Pak
パッケージ/ケース TO-251-3 Stub Leads, IPak

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