NDT01N60T1G

MOSFET N-CH 600V 0.4A SOT223
NDT01N60T1G P1
NDT01N60T1G P1
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ON Semiconductor ~ NDT01N60T1G

品番
NDT01N60T1G
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 600V 0.4A SOT223
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- NDT01N60T1G PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 NDT01N60T1G
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 600V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 400mA (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 3.7V @ 50µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 7.2nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 160pF @ 25V
Vgs(最大) ±30V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.5W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 8.5 Ohm @ 200mA, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ SOT-223 (TO-261)
パッケージ/ケース TO-261-4, TO-261AA

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