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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
品番 | NCP5183DR2G |
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部品ステータス | Active |
駆動構成 | Half-Bridge |
チャネルタイプ | Independent |
ドライバ数 | 2 |
ゲートタイプ | N-Channel MOSFET |
電圧 - 供給 | 9 V ~ 18 V |
ロジック電圧 - VIL、VIH | 1.2V, 2.5V |
電流 - ピーク出力(ソース、シンク) | 4.3A, 4.3A |
入力方式 | Non-Inverting |
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ) | 600V |
立ち上がり/立ち下がり時間(Typ) | 12ns, 12ns |
動作温度 | -40°C ~ 125°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC |