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品番 | MTD6N15T4G |
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部品ステータス | Obsolete |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 150V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 6A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 4.5V @ 1mA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 30nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1200pF @ 25V |
Vgs(最大) | ±20V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 1.25W (Ta), 20W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 300 mOhm @ 3A, 10V |
動作温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | DPAK-3 |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |