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品番 | MMBFJ175LT1G |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | P-Channel |
電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS) | 30V |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | - |
電流 - ドレイン(Idss)Vds(Vgs = 0) | 7mA @ 15V |
電流ドレイン(Id) - 最大 | - |
電圧 - カットオフ(VGSオフ)@ Id | 3V @ 10nA |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 11pF @ 10V (VGS) |
抵抗 - RDS(オン) | 125 Ohm |
電力 - 最大 | 225mW |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-3 (TO-236) |