FCMT125N65S3

SF3 650V 125MOHM MOSFET
FCMT125N65S3 P1
FCMT125N65S3 P1
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ON Semiconductor ~ FCMT125N65S3

品番
FCMT125N65S3
メーカー
ON Semiconductor
説明
SF3 650V 125MOHM MOSFET
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- FCMT125N65S3 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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品番 FCMT125N65S3
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 650V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 24A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs 125 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4.5V @ 590µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 49nC @ 10V
Vgs(最大) ±30V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1920pF @ 400V
FET機能 -
消費電力(最大) 181W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 4-PQFN (8x8)
パッケージ/ケース 4-PowerTSFN

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