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| 品番 | BSP16T1G |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| トランジスタタイプ | PNP |
| 電流 - コレクタ（Ic）（最大） | 100mA |
| 電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） | 300V |
| Vce飽和（最大）@Ib、Ic | 2V @ 5mA, 50mA |
| 電流 - コレクタ遮断（最大） | 50µA |
| DC電流利得（hFE）（最小）@ Ic、Vce | 30 @ 50mA, 10V |
| 電力 - 最大 | 1.5W |
| 周波数 - 遷移 | 15MHz |
| 動作温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-223 |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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BSP 51 E6327 | Infineon Technologies | TRANS NPN DARL 60V 1A SOT-223 | - | 2000 | 詳細 |
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BSP 52 E6327 | Infineon Technologies | TRANS NPN DARL 80V 1A SOT-223 | - | 0 | 詳細 |
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BSP 60 E6433 | Infineon Technologies | TRANS PNP DARL 45V 1A SOT-223 | - | 0 | 詳細 |
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BSP030,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 10A SOT223 | - | 0 | 詳細 |
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BSP100,135 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT223 | - | 0 | 詳細 |
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BSP110,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223 | - | 0 | 詳細 |
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BSP122,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 200V 0.55A SOT223 | 1000 | 詳細 | |
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BSP123E6327T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223 | - | 0 | 詳細 |
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BSP123L6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223 | - | 0 | 詳細 |
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BSP125 E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | - | 0 | 詳細 |
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BSP125 E6433 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | - | 0 | 詳細 |
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BSP125H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | 1000 | 詳細 |