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品番 | BS170-D26Z |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 60V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 500mA (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 5 Ohm @ 200mA, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 3V @ 1mA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | - |
Vgs(最大) | ±20V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 40pF @ 10V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 830mW (Ta) |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Through Hole |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-92-3 |
パッケージ/ケース | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |