5LN01C-TB-H

MOSFET N-CH 50V 100MA CP
5LN01C-TB-H P1
5LN01C-TB-H P1
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ON Semiconductor ~ 5LN01C-TB-H

品番
5LN01C-TB-H
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 50V 100MA CP
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- 5LN01C-TB-H PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 5LN01C-TB-H
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 50V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 100mA (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 1.5V, 4V
Vgs(th)(Max)@ Id -
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 1.57nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 6.6pF @ 10V
Vgs(最大) ±10V
FET機能 -
消費電力(最大) 250mW (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 7.8 Ohm @ 50mA, 4V
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 3-CP
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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