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品番 | 2SK4124-1E |
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部品ステータス | Obsolete |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 500V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 20A (Ta) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | - |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 46.6nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1200pF @ 30V |
Vgs(最大) | ±30V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 2.5W (Ta), 170W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 430 mOhm @ 8A, 10V |
動作温度 | 150°C (TJ) |
取付タイプ | Through Hole |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-3P-3L |
パッケージ/ケース | TO-3P-3, SC-65-3 |