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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
品番 | 2SK3666-3-TB-E |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS) | - |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 30V |
電流 - ドレイン(Idss)Vds(Vgs = 0) | 1.2mA @ 10V |
電流ドレイン(Id) - 最大 | 10mA |
電圧 - カットオフ(VGSオフ)@ Id | 180mV @ 1µA |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 4pF @ 10V |
抵抗 - RDS(オン) | 200 Ohm |
電力 - 最大 | 200mW |
動作温度 | 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
サプライヤデバイスパッケージ | 3-CP |