2N7002ET1G

MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23
2N7002ET1G P1
2N7002ET1G P1
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ON Semiconductor ~ 2N7002ET1G

品番
2N7002ET1G
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- 2N7002ET1G PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 2N7002ET1G
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 260mA (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 0.81nC @ 5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 26.7pF @ 25V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 300mW (Tj)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 2.5 Ohm @ 240mA, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3 (TO-236)
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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