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品番 | PMT200EN,115 |
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部品ステータス | Obsolete |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 100V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 1.8A (Ta) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 4.5V, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 2.5V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 10nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 475pF @ 80V |
Vgs(最大) | ±20V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 800mW (Ta), 8.3W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 235 mOhm @ 1.5A, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-223 |
パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA |