PMPB12UN,115

MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN
PMPB12UN,115 P1
PMPB12UN,115 P1
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NXP USA Inc. ~ PMPB12UN,115

品番
PMPB12UN,115
メーカー
NXP USA Inc.
説明
MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 PMPB12UN,115
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 20V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 7.9A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 1.8V, 4.5V
Vgs(th)(Max)@ Id 1V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 13nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 886pF @ 10V
Vgs(最大) ±8V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 18 mOhm @ 7.9A, 4.5V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 6-DFN2020MD (2x2)
パッケージ/ケース 6-UDFN Exposed Pad

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