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品番 | PHK12NQ10T,518 |
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部品ステータス | Obsolete |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 100V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 11.6A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 4V @ 1mA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 35nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1965pF @ 25V |
Vgs(最大) | ±20V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 8.9W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 28 mOhm @ 6A, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |