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| 品番 | PHK12NQ10T,518 |
|---|---|
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 100V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11.6A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 35nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1965pF @ 25V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 8.9W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 28 mOhm @ 6A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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PHK12NQ03LT,518 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 11.8A SOT96 | 0 | 詳細 | |
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PHK12NQ10T,518 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 11.6A SOT96-1 | - | 0 | 詳細 |