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品番 | PHD82NQ03LT,118 |
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部品ステータス | Obsolete |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 30V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 75A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 5V, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 2.5V @ 1mA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 16.7nC @ 5V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1620pF @ 25V |
Vgs(最大) | ±20V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 136W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 8 mOhm @ 25A, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | DPAK |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |