画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
品番 | PHD34NQ10T,118 |
---|---|
部品ステータス | Obsolete |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 100V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 35A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 4V @ 1mA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 40nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1704pF @ 25V |
Vgs(最大) | ±20V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 136W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 40 mOhm @ 17A, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | DPAK |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |