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BUK761R7-40E/GFJ

MOSFET N-CH D2PAK
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › BUK761R7-40E/GFJ
BUK761R7-40E/GFJ P1
BUK761R7-40E/GFJ P1
画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

NXP USA Inc. ~ BUK761R7-40E/GFJ

品番
BUK761R7-40E/GFJ
メーカー
NXP USA Inc.
説明
MOSFET N-CH D2PAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
BUK761R7-40E/GFJ.pdf BUK761R7-40E/GFJ PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 BUK761R7-40E/GFJ
部品ステータス Obsolete
FETタイプ -
技術 -
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） -
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） -
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id -
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs -
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds -
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） -
Rds On（Max）@ Id、Vgs -
動作温度 -
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ D2PAK
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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