PMZB200UNEYL

MOSFET N-CH 30V SOT883
PMZB200UNEYL P1
PMZB200UNEYL P1
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Nexperia USA Inc. ~ PMZB200UNEYL

品番
PMZB200UNEYL
メーカー
Nexperia USA Inc.
説明
MOSFET N-CH 30V SOT883
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 PMZB200UNEYL
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 1.4A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 1.5V, 4.5V
Vgs(th)(Max)@ Id 950mV @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 2.7nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 89pF @ 15V
Vgs(最大) ±8V
FET機能 -
消費電力(最大) 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 250 mOhm @ 1.4A, 4.5V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ DFN1006B-3
パッケージ/ケース 3-XFDFN

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