MRF5812GR1

TRANS NPN 15V 200MA 8-SOIC
MRF5812GR1 P1
MRF5812GR1 P2
MRF5812GR1 P1
MRF5812GR1 P2
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Microsemi Corporation ~ MRF5812GR1

品番
MRF5812GR1
メーカー
Microsemi Corporation
説明
TRANS NPN 15V 200MA 8-SOIC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
MRF5812GR1.pdf MRF5812GR1 PDF online browsing
家族
トランジスタ - バイポーラ(BJT) - RF
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製品パラメータ

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品番 MRF5812GR1
部品ステータス Obsolete
トランジスタタイプ NPN
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) 15V
周波数 - 遷移 5GHz
ノイズ・フィギュア(dB Typ @ f) 2dB ~ 3dB @ 500MHz
利得 13dB ~ 15.5dB
電力 - 最大 1.25W
DC電流利得(hFE)(最小)@ Ic、Vce 50 @ 50mA, 5V
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 200mA
動作温度 -
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO

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