• お問い合わせ
  • 引用を要求
  • 日本语
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • Türkiy
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
    • Vietnam
BOM

JANTXV2N3636

TRANS PNP 175V 1A
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングル › JANTXV2N3636
JANTXV2N3636 P1
JANTXV2N3636 P1
画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Microsemi Corporation ~ JANTXV2N3636

品番
JANTXV2N3636
メーカー
Microsemi Corporation
説明
TRANS PNP 175V 1A
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- JANTXV2N3636 PDF online browsing
家族
トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングル
  • 在庫あり$数量個
  • 参考価格 : submit a request

表示よりも数量の多い価格見積依頼を提出

製品パラメータ

すべての製品

品番 JANTXV2N3636
部品ステータス Active
トランジスタタイプ PNP
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 1A
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 175V
Vce飽和（最大）@Ib、Ic 600mV @ 5mA, 50mA
電流 - コレクタ遮断（最大） 10µA
DC電流利得（hFE）（最小）@ Ic、Vce 50 @ 50mA, 10V
電力 - 最大 1W
周波数 - 遷移 -
動作温度 -65°C ~ 200°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
パッケージ/ケース TO-39
サプライヤデバイスパッケージ TO-39 (TO-205AD)

関連製品

すべての製品

画像 品番 メーカー 説明 PDF 在庫あり 見る
JANTX1N1184 JANTX1N1184 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 - 0 詳細
JANTX1N1184R JANTX1N1184R Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB - 0 詳細
JANTX1N1186 JANTX1N1186 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 - 0 詳細
JANTX1N1186R JANTX1N1186R Microsemi Corporation SILICON RECTIFIER - 1226 詳細
JANTX1N1188R JANTX1N1188R Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB - 0 詳細
JANTX1N1190 JANTX1N1190 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 - 87 詳細
JANTX1N1190R JANTX1N1190R Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 - 100 詳細
JANTX1N1202A JANTX1N1202A Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA - 39 詳細
JANTX1N1202AR JANTX1N1202AR Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA - 0 詳細
JANTX1N1204A JANTX1N1204A Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA - 36 詳細
JANTX1N1204AR JANTX1N1204AR Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA - 4 詳細
JANTX1N1206A JANTX1N1206A Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA - 0 詳細