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| 品番 | JANTX1N6511 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| ダイオード構成 | 7 Independent |
| ダイオードタイプ | Standard |
| 電圧 - DC逆（Vr）（最大） | 75V |
| 電流 - 平均整流（Io）（ダイオードあたり） | 300mA (DC) |
| 電圧 - フォワード（Vf）（最大）@ If | 1V @ 100mA |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 逆回復時間（trr） | 10ns |
| 電流 - 逆リーク（Vr） | 100nA @ 40V |
| 動作温度 - ジャンクション | - |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パッケージ/ケース | 14-CDIP (0.300", 7.62mm) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 14-CDIP |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 | - | 0 | 詳細 |
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JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | - | 0 | 詳細 |
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JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | - | 0 | 詳細 |
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JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER | - | 1226 | 詳細 |
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JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | - | 0 | 詳細 |
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JANTX1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | - | 87 | 詳細 |
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JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | - | 100 | 詳細 |
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JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 39 | 詳細 |
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JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 0 | 詳細 |
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JANTX1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 36 | 詳細 |
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JANTX1N1204AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 4 | 詳細 |
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JANTX1N1206A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA | - | 0 | 詳細 |