画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
| 品番 | JANTX1N2824B |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| 電圧 - ツェナー（Nom）（Vz） | 33V |
| 公差 | ±5% |
| 電力 - 最大 | 50W |
| インピーダンス（最大）（Zzt） | 3.2 Ohm |
| 電流 - 逆リーク（Vr） | 10µA @ 25.1V |
| 電圧 - フォワード（Vf）（最大）@ If | 1.5V @ 10A |
| 動作温度 | -65°C ~ 175°C |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パッケージ/ケース | TO-204AD |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-204AD (TO-3) |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 | - | 0 | 詳細 |
|
JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | - | 0 | 詳細 |
|
JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | - | 0 | 詳細 |
|
JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER | - | 1226 | 詳細 |
|
JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | - | 0 | 詳細 |
 |
JANTX1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | - | 87 | 詳細 |
 |
JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | - | 100 | 詳細 |
 |
JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 39 | 詳細 |
|
JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 0 | 詳細 |
 |
JANTX1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 36 | 詳細 |
 |
JANTX1N1204AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 4 | 詳細 |
|
JANTX1N1206A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA | - | 0 | 詳細 |